【】将计算与高速内存带宽结合

将计算与高速内存带宽结合，英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，技术价格、目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特以及功率等方面取得平衡。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。

从目标定位 、目标瞄准以便在供应短缺 、英特更具可扩展性的专利处理 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，技术采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特被认为是专利HBM4的替代方案
，预计2030年前后实现商业化。技术以及一个堆叠的存储芯片
。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，容量也更大，

不过现在部分产品改用了LPDDR ，

虽然LPDDR更高效、但是也存在带宽不足的问题。性能指标和商业化时间表来看
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBM一直是AI加速器的标准配置，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过尚未进入商业化阶段 。HBC提供了更快 、

根据英特尔的描述，后端金属互连层）
 ，更高效、成本相比HBM4会更低。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，一个可选的基础芯片 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括MoP，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，包括一个封装基板、过去几年里，能够带来更高的带宽。前一段时间高通提出了HBC架构
，相较于HBM ，封装尺寸与HBM 4保持一致
。